Проведены технологические исследования по созданию зарощенных канальных гетероструктур для полупроводниковых одномодовых лазеров, работающих в спектральном диапазоне длин волн 1600–1610 нм. Получены лазерные диоды с длиной волны излучения, соответствующей обертону в полосе поглощения диоксида углерода. Исследованы температурные зависимости спектров оптического излучения лазерных диодов. Показана возможность перестройки спектров излучения в диапазоне от 1559 до 1620 нм. Показана возможность создания оптоволоконных интеллектуальных систем удаленного контроля концентрации диоксида углерода.