Главная -> Продукция -> Суперлюминисцентные Источники излучения
Высокомощные источники излучения с длиной волны 1550нм, изготовлены на базе гетероструктур InP/GaInAsP с квантовыми ямами (MQW).
Основой источника излучения является чип с зарощенной гетероструктурой, с областью поглощения и с просветляющими покрытиями на передней и задней гранях.
Области применения
параметр
|
категория
|
минимальное
|
типичное
|
максимальное
|
Выход.. Мощность в SM волокне, мвт
|
TS-1
TS-2 |
5
10 |
8
15 |
|
Рабочий ток, мА
|
TS-1
TS-2 |
|
|
500
800 |
Раб. напряжение, В
|
|
|
|
1,2
|
Пиковая длина волны, нм
|
Для всех типов
|
|
1550+.-10нм
|
|
Ширина спектра излучения, нм
|
Для всех типов
|
|
50
|
|
Глубина модуляции спектра, дб
|
Для всех типов
|
|
|
0,5
|
Диапазон рабочих температур, С град.
|
Для всех типов
|
- 55
|
|
+70
|
Ток микроохл. А,
|
Для всех типов
|
|
|
1,4
|
Напяжен. микроох., В
|
Для всех типов
|
|
|
2,7
|