english / русский

Главная -> Продукция -> Суперлюминисцентные Источники излучения

Высокомощные источники излучения с длиной волны 1550нм, изготовлены на базе гетероструктур InP/GaInAsP с квантовыми ямами (MQW).
Основой источника излучения является чип с зарощенной гетероструктурой, с областью поглощения и с просветляющими покрытиями на передней и задней гранях.




Области
применения

  • оптические сенсоры
  • оптическая когерентная томография
  • оптоволоконная гироскопия
  • системы передачи информации
Конструктивные особенности
  • монтаж в корпуса 14 PIN DIL, 14 PIN DBUT
  • микроохладитель
  • терморезистор
  • изотропное волокно или волокно РМ
  • оптический разъем FC/APC
  • низкая модуляция спектра
ТИПИЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИПРИ +20 град. С

параметр
категория
минимальное
типичное
максимальное
Выход.. Мощность в SM волокне, мвт
TS-1
TS-2
5
10
8
15
 
Рабочий ток, мА
TS-1
TS-2
 
 
500
800
Раб. напряжение, В
 
 
 
1,2
Пиковая длина волны, нм
Для всех типов
 
1550+.-10нм
 
Ширина спектра излучения, нм
Для всех типов
 
50
 
Глубина модуляции спектра, дб
Для всех типов
 
 
0,5
Диапазон рабочих температур, С град.
Для всех типов
- 55
 
+70
Ток микроохл. А,
Для всех типов
 
 
1,4
Напяжен. микроох., В
Для всех типов
 
 
2,7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Отправка заявки:

*
*
*
cost of 3ds max design