english / русский

Главная -> О компании -> Научные достижения

В компании работают высококвалифицированные специалисты в области полупроводникового материаловедения и квантовой электроники. Среди них один доктор технических наук, два кандидата технических наук, а также высококвалифицированные специалисты имеющие большой стаж работы в полупроводниковой промышленности.

Сотрудники компании «ТЕЛАМ» проводят научно-исследовательские работы в области полупроводникового материаловедения и полупроводниковых лазеров, регулярно печатают в свои труды в отечественной и зарубежной печати. За годы работы в области полупроводниковых технологий и приборов, сотрудниками НПП «ТЕЛАМ» опубликовано более 250 научных трудов в том числе получено 29 авторских свидетельств и два патента.

Среди этих трудов основные:

1. О механизме роста эпитаксиальных слоев фосфида индия в системе pH3 - МОС (In)H2 Тезисы доклада 6-ой конференции по процессам роста и синтезаполупроводниковых кристаллов и пленок. г.Новосибирск, 1982,т1. Стр.227 . Авт. М.Г.Васильев, В.Ф. Дворянкин, В.В. Кожин и др.

2. Лавинные фотодиоды на основе гетероструктур InP/GaInAs c р-n переходом. Письма в ЖТФ, 1982, т.8, вып.12, стр.722 Авторы: Ж.И. Алферов, М.Г. Васильев, А.Т. Гореленок, и др.

3. Полосковы зарощенные гетеролазеры непрерывного действия на основе InP/GaInAsP ( l=1,3 и1,5мкм) полученные комбинацией жидкофазной и газофазной эпитаксией. Письма в ЖТФ,1982,т.8,вып.11 Авторы: Ж.И. Алферов, М.Г. Васильев, А.Т. Гореленок, В.Г. Груздов и др.

4. Способ изготовления гетероструктур. Авторское свидетельство N1119529 приоритет от 29.06. 1983г. Авторы: М.Г. Васильев, А.А. Селин, А.А. Ханин

5. Способ изготовления инжекционного лазера (его варианты)Авторское свидетельство N 220253 приоритет от 16 .06.1984г. Авторы: М.Г. Васильев, А.А. Шелякин

6. Аналоговая частотная модуляция излучения одномодовых гетеролазеров спектрального диапазона длин волн 1,3мкм. Квантовая электроника ,1986,т.13,N6, с.1267-1269 Авторы:М.Г. Васильев, И.С. Голдобин.

7. Низкопороговые инжекционные лазеры на длину волны 1.31мкм зарощенного типа с двухканальным боковым ограничением изготовленные на подложках n-типа. Квантовая электроника, 1989,т.16,N13cтр. 1457-1463 Авторы: И.В. Акимова , М.Г. Васильев и др.

8. Electron Microscopy and Mass-Spectrometry Study of GaInAsP Films Grown by LPE. Phys. Stat Sol. (a) 140, 1993,pp. 453-462 M.G. Vasiliev, V.V. Volkov, W. Luyten. J.Van Landuyt, C.Ferauge

9. Electron Microscopy and Mass-Spectrometry Study of GaInAsP/InP heterostructures (pin) Diodes Grown by LPE. Phys. Stat. Sol. (a) 140, 1993, pp. 73-85 M.G. Vasiliev, V.V. Volkov, W. Luyten, J.Van Landuyt, S. Amelincks.

10. Cпособ изготовления полупроводниковых полупроводниковых оптоэлектронных приборов Патент N1829804, 23.06.1995 Авторы: М.Г. Васильев и др.

11. LPE growth and HREM characterisation of InGaAsP/InP heterostructures. Proceedings of Eurosensors X. The 10 Eropean Conference, Sept. 8-11, 1996 hh. 831-832 M.G. Vasiliev, V.V. Volkov, J.Van Landuyt, R. Gijbels, A.A. Shelyakin

12. Characterisation of the LPE grown InGaAsP/InP hetero-structures: IR-LED at 1,66mkm used for the remote monitoring of methane gas. Jour. Cryst. Grow. ,173,1997,285-296 M.G. Vasiliev, V.V. Volkov, J. Van Landuyt, R. GijbelsC, C. Ferauge.

13. LPE growth and characterization of the heterostrucyures: IR Light - emitting diodes at 1,66mkm. Application to remote monitoring of methans gas. Sensors and Actuators A62 (1997) 624-632 M.G. Vasiliev, V.V. Volkov, J. Van Landuyt, R. Gijbels.

14. Устройство для лазерной терапии и офтальмологии. Патент N2092140 10. 10.1997г. Авторы: М.Г. Васильев, Е.В. Аникина, Л.С. Орбачевский.

15. A Fiber-optick open-path methane sensor. Laser phys., 2000, pp.128-135 M.G. Vasiliev, V.K. Sacharov
 

Отправка заявки:

*
*
*
buy viagra in pharmacy uk